Как найти полную концентрацию ионизированных примесей NI в полупроводнике n-типа?
В данной статье я расскажу о том‚ как найти полную концентрацию ионизированных примесей NI в полупроводнике n-типа‚ если известны концентрация компенсирующих акцепторов NA и концентрация основных носителей заряда n.
В полупроводнике n-типа основными носителями заряда являются электроны (отрицательно заряженные). Концентрация электронов обозначается как n. Компенсирующие акцепторы NA являются примесями‚ создающими дефекты с положительной зарядом‚ создавая положительные дырки для компенсации отрицательного заряда электронов.Для того чтобы найти полную концентрацию ионизированных примесей NI‚ нужно учесть‚ что в полупроводнике есть как нейтральные‚ так и ионизированные примеси. Ионизированные примеси могут быть либо положительно‚ либо отрицательно заряженными.Итак‚ для подсчета полной концентрации ионизированных примесей NI используем следующую формулу⁚
NI NA n
где NI ౼ полная концентрация ионизированных примесей NI‚
NA ౼ концентрация компенсирующих акцепторов NA‚
n ౼ концентрация основных носителей заряда.Таким образом‚ чтобы найти полную концентрацию ионизированных примесей NI‚ нужно сложить концентрацию компенсирующих акцепторов NA и концентрацию основных носителей заряда n.Пример⁚ предположим‚ что концентрация компенсирующих акцепторов NA равна 10^17 см^-3‚ а концентрация основных носителей заряда n равна 10^19 см^-3. Тогда полная концентрация ионизированных примесей NI будет⁚
NI 10^17 10^19 10^19 10^17 10^19 10^2 10^19 100 10^19 100.
Таким образом‚ полная концентрация ионизированных примесей NI составляет 10^19 100 см^-3.