Я работал над производством полупроводниковых микросхем и могу поделиться своим опытом на эту тему. Для получения дырочной проводимости в полупроводниковых микросхемах следует использовать определенные элементы в качестве примеси. Среди предложенных вариантов — бор, галлий, и индий являются верными выборами.
Бор, галлий и индий являются трехвалентными элементами, что делает их подходящими для создания дыр в полупроводниках. Дыры ⎻ это явления, противоположные электронам, и их наличие позволяет проводить электрический ток в материале. Бор используется наиболее широко для получения дырочной проводимости. Его внедрение в полупроводниковый материал позволяет создать электронные дырки и тем самым увеличить проводимость. Галлий и индий также активно используются для получения дырочной проводимости. Они обладают схожими свойствами с бором и успешно встраиваются в кристаллическую решетку полупроводников, создавая дырочную проводимость. Остальные предложенные элементы — сурьма, мышьяк и фосфор — не подходят для получения дырочной проводимости. Сурьма и мышьяк являются пятивалентными элементами, что делает их более подходящими для создания отрицательных заряженных частиц (электронов) в полупроводнике. Фосфор является пятивалентным элементом и обычно используется для получения электронной проводимости. Итак, в качестве примеси для получения дырочной проводимости в полупроводниковых микросхемах следует использовать бор, галлий и индий. Они обладают свойствами, позволяющими создать дыры и обеспечить эффективную проводимость в микросхемах.